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全自動化學機械拋光機

TPC-2110

該設備是適用于薄膜（介質層）的全自動CMP拋光設備，用于氧化物、金屬、STI、SOI、MEMS等產品的平坦化拋光。設備兼容6/8英寸晶圓，采用多分區氣囊加壓方式，可實現納米級精密去除，配置雙面刷洗、兆聲清洗、甩干&N2吹干功能，實現干進干出的全自動CMP加工。可根據需求選配摩擦力、電渦流、在線紅外檢測等EPD功能。

晶圓尺寸

6/8英寸

拋光盤數量

1個

Wafer氣囊壓力

0-700 g/cm2

拋光盤直徑

OD530 mm

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